特許
J-GLOBAL ID：200903083728447271
静電容量型圧力センサとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-112532
公開番号（公開出願番号）：特開平7-318445
出願日： 1994年05月26日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】薄肉部の厚さを狭い範囲内に揃えることによりセンサの感度のばらつきを狭い範囲内に収めた圧力センサを歩留り良く安定に製造する。【構成】シリコン基板1の表面に絶縁膜2を形成し、その上にシリコン層3を形成する。シリコン層3に下部電極4、信号処理回路部5、接続配線6を形成する。シリコン基板1を選択エッチングして薄肉部7と厚肉部8を形成する。上部ガラス板11に凹部12、13を形成し、凹部12に上部電極14を形成する。上部ガラス板11とシリコン層3を陽極接合法により貼合わせる。薄肉部7は絶縁膜2とシリコン層3とからなり、感圧部を構成する。薄肉部7の厚さはシリコン層を研磨することにより決められので、薄肉部の厚さを狭いばらつき範囲内に収め、センサの感度を揃えることがてきる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板の上に絶縁膜を介して設けられた一導電型で単結晶のシリコン層と、このシリコン層の表面に設けられた下部電極と、この下部電極に向かい合う前記シリコン基板の領域を選択除去して形成される薄肉部とを有するダイアフラムと、前記ダイアフラムの上面に取付けられ前記下部電極に間隔をおいて対向する上部電極を有する上部ガラス板と、前記シリコン層の表面に設けられ前記下部電極と前記上部電極からの信号を受けて圧力値を算出する信号処理回路部とを備えたことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
IPC (3件)：
G01L 9/12
, H01L 21/306
, H01L 29/84
