特許

J-GLOBAL ID：200903083736363141

半導体装置の製造方法

発明者： 大谷 康人 ,  熊丸 邦明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-242738
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055168
出願日： 1991年08月28日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】プラズマエッチングのダウンフロータイプエッチングにおいて、反応ガスに(CF4 +O2 )ガスを、またマスク材にホトレジストを使用した場合、エッチングの最中にホトレジストが、エッチング種との反応熱により温度上昇しても、自身の耐熱限界点を超えないようにする。【構成】エッチング最中のホトレジストの温度を決める主要因にホトレジストのエッチングレートとエッチング雰囲気の圧力とを取り上げ、耐熱限界点を超えないエッチングレート(例えば310 nm/min 以下)とエッチング雰囲気の圧力(例えば0.29Pa 以上)との組合せ範囲を予め設定した後、該範囲内の条件でエッチングを行なう。

請求項（抜粋）：

反応ガスに(CF4 +O2 )ガスを、またマスク材にホトレジストをそれぞれ使用するダウンフロータイプエッチング工程において、該ホトレジストがエッチング種との反応熱により自身の耐熱限界点を超えることのない該ホトレジストのエッチングレートとエッチング雰囲気の圧力との組合せ範囲をあらかじめ設定しておき、該組合せ範囲内のエッチングレートとエッチング雰囲気の圧力とでプラズマエッチングを行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。