特許

J-GLOBAL ID：200903083738656480

電界効果トランジスタ

発明者： 古川 秀利 ,  田中 毅 ,  上田 大助
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-094680
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294767
出願日： 1999年04月01日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 蓄積されたホールによりチャネルのポテンシャル分布が変調され、この結果ドレイン電圧でチャネル電流が制御できなくなるという課題を解決する。【解決手段】 GaAs基板1上にアンドープドGaAsバッファ層2、アンドープドIn0.2Ga08Asバッファ層3、アンドープドGaAs層4のバンドギャップの異なる3つの半導体層を下から順に形成し、このアンドープドGaAs層4上にソース電極6を形成し、バンドギャップの小さい方のアンドープドIn0.2Ga0.8As層3をチャネルとし、アンドープドIn0.2Ga0.8As層3に存在し得る電子およびホールの波動関数が重なる距離にソース電極6が形成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に下から順にバンドギャップの異なる第1の半導体層および第2の半導体層が形成され、この第2の半導体層上にソース電極が形成され、バンドギャップが前記第2の半導体層より小さい前記第1の半導体層をチャネルとし、前記第1の半導体層に存在し得る電子およびホールの波動関数が重なる距離に前記第2の半導体層の表面に設けられた前記ソース電極が形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 C

Fターム (20件)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK05 ,  5F102GL02 ,  5F102GL04 ,  5F102GL05 ,  5F102GM02 ,  5F102GM04 ,  5F102GM05 ,  5F102GM06 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC19