特許

J-GLOBAL ID：200903083742581169

半導体レーザ

発明者： 本多 正治 ,  池上 隆俊 ,  藪内 隆稔 ,  三宅 輝明 ,  中島 健二
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-304350
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148667
出願日： 1995年11月22日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 薄膜成長で格子不整合を生じ素子劣化をさせたり、それを未然に防ぐために一定期間素子製造を行った後に、定期的に成長装置を成膜特性の確認のためだけに厚膜成長させ、素子製造と異なるプロセスで煩雑な作業を繰り返し、また材料も無駄にすることとなった。【解決手段】 基板の上にバッファ層を形成し、そのバッファ層の上に4元系のクラッド層を形成し、そのクラッド層の下もしくはクラッド層の中に特定組成のモニタ層を厚膜成長させ、クラッド層の上に特定組成の薄膜を光ガイド層もしくは障壁層として積層し量子井戸型の活性層や光ガイド層をさらに積層する。モニタ層は上側クラッド層に設けてもよい。

請求項（抜粋）：

量子井戸型の活性層と、その活性層の少なくとも下側に設けられた薄膜層から成る光ガイド層と、活性層と光ガイド層とを挟むように設けられたクラッド層と、光ガイド層の下に位置するクラッド層の下に設けられたバッファ層とを有する半導体レーザにおいて、前記バッファ層と光ガイド層の間に、光ガイド層と同じ組成で光ガイド層よりも厚いモニタ層が設けられていることを特徴とする半導体レーザ。