特許
J-GLOBAL ID：200903083750248932
半導体基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-048427
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251601
出願日： 1992年03月05日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】集積回路の冷却効率が従来に比して大幅に向上できる半導体基板の好適な製造方法を提供することにある。【構成】シリコン基板1,3に冷却媒体の流路となる溝2または穴を形成する工程と、複数枚のシリコン基板1,3を貼り合せて一体化する工程と、シリコン基板1,3に冷却媒体の流入口および流出口を形成する工程とを具備してなるものである。
請求項（抜粋）：
シリコン基板に冷却媒体の流路となる溝または穴を形成する工程と、複数枚のシリコン基板を貼り合せて一体化する工程と、シリコン基板に冷却媒体の流入口および流出口を形成する工程とを具備してなることを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/36 Z
, H01L 23/46 Z
