特許

J-GLOBAL ID：200903083757316976

薄膜の製造方法

発明者： 大橋 一記 ,  木村 文人
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-290856
公開番号（公開出願番号）：特開2000-119846
出願日： 1998年10月13日
公開日（公表日）： 2000年04月25日
要約：

【要約】【課題】 防曇効果が持続し、光学特性を劣化させない防曇膜および耐久性に優れ、反射防止効果を劣化させない防汚膜を製造する。【解決手段】 チタンを主成分とする第1ターゲットおよびケイ素を主成分とする第2ターゲットを真空チャンバー内に設置する工程と、スパッタリング法により第1ターゲットおよび第2ターゲットのうちのいずれか一方のターゲットの物質を基材上に堆積させる第1スパッタリング工程と、スパッタリング法により、第1ターゲットおよび第2ターゲットのうちの他方のターゲットの物質を基材上に堆積させる第2スパッタリング工程と、第1および第2スパッタリング工程終了後に、基材上に堆積させた物質を酸化して、酸化ケイ素および酸化チタンを主成分とする混合物の薄膜を形成する混合物膜形成工程とを含む。

請求項（抜粋）：

チタンを主成分とする第1ターゲットおよびケイ素を主成分とする第2ターゲットを真空チャンバー内に設置する工程と、スパッタリング法により、前記第1ターゲットおよび第2ターゲットのうちのいずれか一方のターゲットの物質を基材上に堆積させる第1スパッタリング工程と、スパッタリング法により、前記第1ターゲットおよび第2ターゲットのうちの他方のターゲットの物質を前記基材上に堆積させる第2スパッタリング工程と、前記第1および第2スパッタリング工程終了後に、前記基材上に堆積させた物質を酸化して、酸化ケイ素および酸化チタンを主成分とする混合物の薄膜を形成する混合物膜形成工程とを含むことを特徴とする薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

C23C 14/08 ,  C08J 7/06 ,  G02B 1/10 ,  G02B 5/08 ,  G02C 7/02

FI (5件)：

C23C 14/08 K ,  C08J 7/06 D ,  G02B 5/08 F ,  G02C 7/02 ,  G02B 1/10 Z

Fターム (28件)：

2H042DA18 ,  2H042DB11 ,  2H042DC02 ,  2K009AA04 ,  2K009AA07 ,  2K009BB24 ,  2K009CC03 ,  2K009DD04 ,  2K009EE02 ,  2K009EE05 ,  4F006AA36 ,  4F006AB67 ,  4F006AB68 ,  4F006BA10 ,  4F006BA11 ,  4F006CA05 ,  4F006DA01 ,  4F006EA01 ,  4K029AA11 ,  4K029BA46 ,  4K029BA48 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029BD09 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029CA08 ,  4K029GA01