特許
J-GLOBAL ID：200903083759518207
太陽電池の製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-308707
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148597
出願日： 1995年11月28日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】 化合物半導体を用いた光電変換素子において、変換効率の高い光電変換素子を得る。【解決手段】 p型半導体と集電体との間に硫化銅を含む層を介在させた基板を作成し、その後該基板のp型半導体上にn型化合物半導体を形成することにより太陽電池を構成する製造法。
請求項（抜粋）：
少なくともp型半導体とn型化合物半導体を用いた太陽電池の製造法において、p型半導体と集電体との間に硫化銅を含む層を介在させた基板を作成し、その後該基板のp型半導体上にn型化合物半導体を形成することを特徴とする太陽電池の製造法。
引用特許：
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