半導体放射線検出器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-268994
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120550
出願日： 1992年10月08日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】単結晶シリコン基板と非晶質シリコン膜とのヘテロ接合により空乏層を形成する半導体放射線検出器の逆方向漏洩電流のばらつきを少なくする。【構成】n形非晶質シリコン膜のp形高抵抗率単結晶シリコン基板との界面近傍にアクセプタをp形にならない程度にドープすることにより、ノンドープの非晶質シリコンがp形単結晶と接触する場合の仕事関数の差によって生ずるエネルギー帯の曲がりのための基板表面のn形化を、非晶質シリコン膜の仕事関数を大きくして防止する。ドープするアクセプタは、例えばほう素で、10〜500 ppmの濃度にドープする。

請求項（抜粋）：

p形の高抵抗率単結晶シリコン基板の上にn形の非晶質シリコン膜が被着し、単結晶シリコン基板裏面および非晶質シリコン膜表面それぞれに接触する電極を有するものにおいて、非晶質シリコン膜の単結晶シリコン基板との界面近傍にアクセプタがドープされたことを特徴とする半導体放射線検出器。

IPC (3件)：

H01L 31/09 , G01T 1/24 , H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 31/00 A , H01L 31/10 A

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