特許

J-GLOBAL ID：200903083764546596

プラズマCVD反応室清掃方法及びプラズマエッチング方法

発明者： 平本 道広 ,  辻 理
出願人/特許権者： 株式会社サムコインターナショナル研究所
代理人 (1件)： 小林 良平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-171686
公開番号（公開出願番号）：特開平9-296271
出願日： 1996年05月02日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】 毒性や可燃性のない、取り扱いの容易なガスを用いながら、高速でプラズマCVD装置内のクリーニングを行なえるようにする。【解決手段】 反応室11内に一酸化二窒素(N2O)とフッ化炭素との混合ガスを導入し、反応室11内部でプラズマを生成することにより反応室11内の表面への付着物を除去する。フッ化炭素としては例えば、四フッ化炭素(CF4、フロン14)、ヘキサフルオロエタン(C2F6、フロン116)、パーフルオロプロパン(C3F8、フロン218)、ヘキサフルオロプロピレン(C3F6)、オクタフルオロシクロブタン(C4F8、フロンC318)等の炭素数1〜4のものが好ましい。また、同じ方法で高速エッチングを行なうこともできる。

請求項（抜粋）：

反応室内に一酸化二窒素(N2O)とフッ化炭素との混合ガスを導入し、反応室内部でプラズマを生成することにより反応室内の表面への付着物を除去することを特徴とするプラズマCVD反応室の清掃方法。

IPC (5件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 J ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-099282
  
• 特開平4-191379
  
• 特開平4-099282
  
• 特開平4-191379
  
• 特開平3-126873