特許

J-GLOBAL ID：200903083768122553

窒化物半導体素子及びその製造方法

発明者： 長濱 慎一 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-294711
公開番号（公開出願番号）：特開平10-145000
出願日： 1996年11月07日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【目的】 主として窒化物半導体よりなるレーザ素子の閾値を低下させて室温で長時間連続発振させることにより、信頼性が高く、効率に優れた窒化物半導体素子を実現する。【構成】 インジウムを含む窒化物半導体よりなる活性層に接して、n型ドーパントがドープされた第1のn型窒化物半導体層、若しくはn型ドーパントよりなるメタル層が形成されており、その第1のn型窒化物半導体層よりも活性層から離れた位置に、n型ドーパントが第1のn型窒化物半導体層よりも少量でドープされた第2のn型窒化物半導体層が形成されている。

請求項（抜粋）：

インジウムを含む窒化物半導体よりなる活性層に接して、n型ドーパントがドープされた第1のn型窒化物半導体層が形成されており、その第1のn型窒化物半導体層よりも活性層から離れた位置に、n型ドーパントが第1のn型窒化物半導体層よりも少量でドープされた第2のn型窒化物半導体層が形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 3族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-113484   出願人：豊田合成株式会社
• 特開平3-154384
  
• 特開平3-173187
  
• 特開昭63-198392