特許
J-GLOBAL ID：200903083770027053
素子の転写方法、半導体装置、及び画像表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-396206
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198569
出願日： 2000年12月26日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：
【要約】【課題】微細加工された素子を転写する際に、転写後も位置合わせ精度が損なわれることもなく、転写の歩留まりも低下しないような素子の転写方法、半導体装置及び画像表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】第一素子群の第一素子が離間して存在する第一基板18上に、前記第一素子の存在する位置に対応した領域が間引かれてなる第二素子群を有する第二基板34を合わせて、前記第二素子群の第二素子を選択的に前記第一基板18上に転写することを特徴とする。間引かれた状態で転写されるため、基板同士を最接近させて転写できる。
請求項（抜粋）：
第一素子群の第一素子が離間して存在する第一基板上に、前記第一素子の存在する位置に対応した領域が間引かれてなる第二素子群を有する第二基板を合わせて、前記第二素子群の第二素子を選択的に前記第一基板上に転写することを特徴とする素子の転写方法。
Fターム (15件)：
5F041AA37
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA77
, 5F041CA83
, 5F041DC13
, 5F041DC23
, 5F041FF01
, 5F041FF06
