特許
J-GLOBAL ID：200903083772620606
ドライエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大澤 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-025166
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229070
出願日： 1997年02月07日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：
【要約】【課題】 エッチング対象物の中央部と外周部で均一なエッチング形状を形成できるようにするとともに、ゲート絶縁膜や半導体基板などのエッチング処理を必要としない非エッチング層を部分的に深くエッチングしてしまう不都合を防止する。【解決手段】 マイクロ波の励起による電子サイクロトロン共鳴を利用したドライエッチング方法において、少なくとも、エッチング対象物の非エッチング処理層とエッチング処理層との間の境界近傍までをエッチング処理する第1エッチング工程と、該第1エッチング工程後に行う第2エッチング工程とを区分する。そして、マイクロ波の強度、電子サイクロトロン共鳴の位置、エッチング圧力、及び電磁強度分布という4つの制御要素のいずれか、またはそれらの制御要素にエッチング対象物の背面に印加する高周波バイアス電圧を含めた5つの制御要素を任意に組み合わせて、第1エッチング工程と第2エッチング工程との間でそれらの制御要素を変更する。
請求項（抜粋）：
エッチング処理を行う必要のない非エッチング層の表面側にエッチング処理を行う必要のあるエッチング層を積層してなるエッチング対象物を、密閉された処理室の内部に配置し、前記処理室の内部にエッチングガスを供給するとともに、該処理室の内部圧力を制御し、かつ前記処理室の内部にマイクロ波によってプラズマを形成するとともに、磁場とマイクロ波との相乗作用により電子サイクロトロン共鳴を生じさせ、さらに前記エッチング対象物の背面側に高周波のバイアス電圧を印加することにより、前記エッチング対象物を表面側からエッチングしていくドライエッチング方法において、少なくとも、前記エッチング対象物の非エッチング層とエッチング処理層との間の境界近傍でかつ非エッチング層に到達しない領域までをエッチング処理する第1エッチング工程と、該第1エッチング工程後に行う第2エッチング工程とを区分し、前記第1エッチング工程と第2エッチング工程との間で、前記マイクロ波の強度を変更することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/3213
, H05H 1/46
H01L 21/302 J
, C23F 4/00 A
, H05H 1/46 C
, H01L 21/88 D
