特許

J-GLOBAL ID：200903083775530381

気化供給方法

発明者： 高松 勇吉 ,  米山 岳夫 ,  桐山 晃二
出願人/特許権者： 日本パイオニクス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-295447
公開番号（公開出願番号）：特開2003-105545
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月09日
要約：

【要約】【課題】 液体CVD原料を大気圧下で、品質を低下させることなく、所望の濃度及び流量で効率よく半導体製造装置へ気化供給するための気化供給方法を提供する。【解決手段】 液体CVD原料を、加熱されたキャリアガスとともに、気化室の形状が鉛直線を軸とする球形、楕球形、樽形、円筒形、円錐形、円錐台形、半球形、またはこれらに類似する形状、若しくはこれらを組み合せた形状である気化器に導入し、気化室内を加熱下80〜120kPaの絶対圧力に保ちながら気化させて半導体製造装置へ供給する。

請求項（抜粋）：

液体CVD原料を、加熱されたキャリアガスとともに、気化室の形状が鉛直線を軸とする球形、楕球形、樽形、円筒形、円錐形、円錐台形、半球形、またはこれらに類似する形状、若しくはこれらを組み合せた形状である気化器に導入し、気化室内を加熱下80〜120kPaの絶対圧力に保ちながら気化させて、半導体製造装置へ供給することを特徴とする気化供給方法。

IPC (2件)：

C23C 16/448 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

C23C 16/448 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/31 F

Fターム (16件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030BA18 ,  4K030BA29 ,  4K030FA01 ,  4K030JA09 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AB39 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AE29 ,  5F045BB19 ,  5F045EE02