特許
J-GLOBAL ID：200903083778233779
結晶成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-063614
公開番号（公開出願番号）：特開平7-267776
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1995年10月17日
要約：
【要約】【目的】結晶成長方向のみならず半径方向においても結晶中の酸素濃度の均一性に優れる結晶の成長方法を提供する。【構成】坩堝1内の原料の上部を加熱溶融して溶融層4とし、下部は固体層5とし、種結晶3を前記溶融液層4の表面に接触させて引き上げることにより結晶6を成長させる結晶成長方法において、前記溶融層4に磁場を印加することを特徴とする結晶成長方法。溶融層に印加する磁場は、強度が 100Oe 〜 500Oe の低磁場であることが望ましい。
請求項（抜粋）：
坩堝内の原料の上部を加熱溶融して溶融層とし、下部は固体層とし、種結晶を前記溶融液層の表面に接触させて引き上げることにより結晶を成長させる結晶成長方法において、前記溶融層に磁場を印加することを特徴とする酸素濃度の均一性に優れる結晶成長方法。
IPC (3件)：
C30B 15/02
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
