特許
J-GLOBAL ID：200903083782270786
シリコンウェーハの熱処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-135067
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321104
出願日： 1994年05月25日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 シリコンウェーハの酸化膜耐圧向上のため、水素ガスを使用する熱処理において、被処理ウェーハの金属汚染や変形を防止し、かつ安全性を確保できるようにする。【構成】 波長0.5〜2μmの赤外線を発振する赤外ランプ1を炉内上部に取り付けたランプアニール装置2の内壁をステンレス鋼板3で覆い、この中に被処理ウェーハ4を装填する。炉内を0.4Torrに保持し、4%の水素ガスを含むアルゴンガス雰囲気中で1000°C、10secの熱処理を行う。高温となったステンレス鋼板に含まれるCr,Niなどが触媒作用で還元剤として作用し、雰囲気ガス中の水素ガス濃度が低いにもかかわらず、デバイス形成層の不純物酸素は容易に外方拡散する。炉内をステンレス鋼板で覆わず、被処理ウェーハと還元剤とを装填して前記熱処理を行ってもよい。この方法による被処理ウェーハの酸化膜耐圧Cモード良品率(規格8MV)は90%以上である。
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハに生じた自然酸化膜を除去した後、急速熱処理可能な装置を用いて還元性ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気中で熱処理を行うことによって、前記シリコンウェーハの酸化膜耐圧を向上させることを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。
引用特許：
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