特許
J-GLOBAL ID:200903083782339794

半導体圧力センサ及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 曾我 道照 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-225942
公開番号(公開出願番号):特開平5-299671
出願日: 1992年08月25日
公開日(公表日): 1993年11月12日
要約:
【要約】【目的】 この発明は、強度を向上させ、半導体圧力センサチップが熱歪みを受けて歪まないようにし、さらに外装樹脂がダイヤフラム部に流入せず、精度良く信頼性の高い半導体圧力センサを得ることを目的とする。【構成】 半導体圧力センサチップ1の表面には、一体モールド時に外装樹脂がダイヤフラム部に流れ出すのを防止するために、樹脂で造られたダム21がピエゾ抵抗体2の外周を囲んで設けられている。また、外装樹脂の線膨張係数を半導体圧力センサチップ1の線膨張係数より大きく、台座の線膨張係数を半導体圧力センサチップ1の線膨張係数より小さくすると共に、台座及び外装樹脂の体積を所定の値とすることにより、半導体圧力センサチップ1に係る歪みを減少させ、精度が高く信頼性の向上した半導体圧力センサが得られる。
請求項(抜粋):
表面にピエゾ抵抗体が設けられ、裏面にダイヤフラム部が形成された半導体圧力センサチップと、この半導体圧力センサチップを載置する台座と、この台座を載置するステムと、上記半導体圧力センサチップの側部近傍及び上記台座の側部を覆ってステム上にモールドされた外装樹脂とを備えた半導体圧力センサであって、上記半導体圧力センサチップ表面のうち上記ピエゾ抵抗体及び上記ダイヤフラム部の外周の位置に、上記外装樹脂のモールド時に外装樹脂がダイヤフラム部に流れ込まないようにするダムを設けたことを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2件):
H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開昭62-144368
  • 特開平2-296373
  • 特開昭54-029974
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