特許

J-GLOBAL ID：200903083782351247

薄膜構成体とその製造方法

発明者： 川野 浩康 ,  佐々木 真
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-139152
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335561
出願日： 1995年06月06日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】 本発明は薄膜構成体とその製造方法に関し、 300°C以上で変形、変質する非耐熱性の回路基板や層間絶縁層等の基材上に、該基材を変形、変質させずに結晶性の良質な薄膜を形成した薄膜構成体、それを得ることを目的とする。【構成】 セラミック基板11上に設けた層間絶縁層12の表面にECRプラズマを照射して清浄、活性化した後、その表面に密着性の良いTi下地金属膜と活性な酸素ECRプラズマで表面が酸化し難い非酸化性のPt上部金属膜とからなる二層膜構成の第1電極層13を通常のスパッタ法により形成し、その第1電極層13上に基板温度を 200°Cとし、活性なECRプラズマを用いたスパッタ法によりSrTiO3膜を被着することで結晶性の良質な誘電体膜14を形成し、該誘電体膜14上に第2電極層15を介して樹脂絶縁層16を被覆し、その上面に第1, 第2電極層13, 15と接続する接続配線層 17a〜17c を設けた薄膜構成体を得るようにする。

請求項（抜粋）：

基板上に樹脂層を介して下地金属膜と上部金属膜とからなる電極層と、その電極層上にECRプラズマを用いたスパッタ法によって形成された誘電体膜を有することを特徴とする薄膜構成体。

IPC (10件)：

H01L 21/285 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H05K 1/16 ,  C23C 14/35

FI (12件)：

H01L 21/285 S ,  C30B 23/08 P ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/31 D ,  H01L 21/312 B ,  H01L 21/316 Y ,  H05K 1/16 E ,  C23C 14/35 F ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 J ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C