特許

J-GLOBAL ID：200903083783628048

半導体装置,及び半導体レーザ,並びに高電子移動度トランジスタ装置

発明者： 小野 健一 ,  元田 隆
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-263306
公開番号（公開出願番号）：特開平9-106946
出願日： 1995年10月11日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】 結晶品質に優れた歪超格子構造を備えた半導体装置,及び結晶品質に優れた歪を有するMQW構造を活性層に備えた半導体レーザ,並びに結晶品質に優れた疑似電子走行層を備えた高電子移動度トランジスタ装置を提供することを課題とする。【解決手段】 MQW構造4を、基板1に対して引張り方向の歪を有する(Alx3Ga1-x3)y3In1-y3P(0≦x3≦0.2,y3=0.6) 井戸層4aと、基板1に対して引張り方向の歪を有するとともにその歪量が井戸層4aよりも小さい(Alx4Ga1-x4)y4In1-y4P(x4=0.5,y4=0.55)障壁層4bとを交互に積層してなる構造とした。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板の一主面上に形成された、上記基板に対して圧縮方向,又は引張り方向の歪を有する第1の半導体層と、該第1の半導体層と上記基板に対して同一方向の異なる歪量の歪を有する第2の半導体層とを、交互に2層以上積層してなる歪超格子構造とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/80 H