特許
J-GLOBAL ID：200903083784900230
半導体装置の製造方法及び半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-132539
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323565
出願日： 1999年05月13日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 シリコン基板に形成した溝部を、その上端がシリコン基板表面より上方に突出した埋め込み酸化膜で埋めこんだトレンチ型素子分離において、埋め込み酸化膜のエッジ部におけるくぼみ部の発生を防止したトレンチ型素子分離の製造方法及びその構造を提供する。【解決手段】 シリコン基板1に形成した溝部13を埋め込む埋め込み酸化膜11を、シリコン基板の表面上で、溝部の開口部より広がるように形成する。また、埋め込み酸化膜の側壁を覆うように、シリコン窒化膜を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板に溝部を形成し、該溝部を、その上端が該シリコン基板表面より上方に突出すように埋め込み酸化膜で埋めこんだトレンチ型素子分離を有する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板の表面上に下敷酸化膜とシリコン窒化膜とを順次積層形成する工程と、該シリコン窒化膜の表面から該シリコン基板内に至る溝部を形成する溝部形成工程と、該溝部を埋めるように該シリコン窒化膜上に埋め込み酸化膜を堆積させる工程と、該埋め込み酸化膜の膜厚を表面から減じて、該シリコン窒化膜上の該埋め込み酸化膜を除去する工程と、該シリコン窒化膜を除去する工程と、該下敷酸化膜を除去する工程とを含み、該溝部形成工程の後に、該シリコン窒化膜の該溝部の開口幅を、該シリコン基板の該溝部の開口幅より広く広げる工程を備えることにより、該溝部に埋めこまれた該埋め込み酸化膜が該下敷酸化膜上に広がった広がり部を形成し、該広がり部を残しながら該下敷酸化膜を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/76 L
, H01L 21/76 D
5F032AA34
, 5F032AA35
, 5F032AA44
, 5F032AA46
, 5F032AA77
, 5F032BA01
, 5F032DA24
, 5F032DA25
, 5F032DA33
, 5F032DA53
, 5F032DA58
