特許
J-GLOBAL ID：200903083786859504
基板の研磨後処理方法およびこれに用いる研磨装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-279384
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135192
出願日： 1993年11月09日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：
【要約】【目的】 化学機械研磨処理後のパーティクル・レベルを大幅に低減可能な研磨後処理方法および研磨装置を提供する。【構成】 化学機械研磨→ウェハ反転待機→物理洗浄→薬液洗浄(スピン洗浄)→リンスに至る一連の工程を、ウェハを乾燥させずに行う。このために、研磨ユニットII内のウェハ・マウント部9,11をウェハの湿潤保持を可能な構成とし、また研磨ユニットII、洗浄ユニットIII 、リンス/乾燥ユニットIV間の搬送にはユニット間湿潤搬送機構12,21、洗浄ユニットIII 内の各洗浄室14,16,18,20間の搬送にはユニット内湿潤搬送機構15,17,19を用いる。【効果】 ウェハの湿潤保持により研磨砥粒のシリカ粒子とSiO2 膜表面との間の共有結合の生成が防止され、パーティクル除去が容易となる。装置の占有面積が減少する。
請求項（抜粋）：
基板に研磨処理を施した直後から後処理が終了するまでの間、該基板の湿潤状態を維持することを特徴とする基板の研磨後処理方法。
IPC (5件)：
H01L 21/304 351
, H01L 21/304
, H01L 21/304 321
, B08B 3/02
, H01L 21/68
