特許
J-GLOBAL ID：200903083788271105

半導体集積回路

発明者：
杉尾 賢一郎

杉尾 賢一郎 について

, 
三苫 徹哉

三苫 徹哉 について


出願人/特許権者：
株式会社 沖マイクロデザイン

株式会社 沖マイクロデザイン について

, 
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-118757
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312019
出願日： 1998年04月28日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：
【要約】【目的】 バーイン試験のようにVCCが高電圧となる際のVDDレベルの上がり過ぎを防止することを目的とする。【構成】 外部電源電位VCCから内部電源電位VDDを生成する内部電源電位発生回路は、差動増幅回路と定電流源回路を持っている。この定電流源回路は、半導体集積回路の試験時に発生する試験信号に応答して、導通状態が制御されるトランジスタで構成されている。
請求項（抜粋）：
【請求請1】 基準電位が与えられた第1入力ノードと、第2入力ノードと、前記第1入力ノードに与えられた電位と前記第2入力ノードに与えられた電位との差に応じた電位を出力する出力ノードとを有する差動増幅回路と、外部電源電位が与えられた外部電源ノードと、内部電源ノードとに接続され、前記差動増幅回路の出力ノードの電位に応答して、前記内部電源ノードに所定の内部電源電位を供給する内部電源電位供給回路と、前記第2入力ノードと、前記内部電源ノードとに接続され、前記内部電源電位に応答した電位を前記第2入力ノードにフィードバックするフィードバック回路と、前記差動増幅回路に接続された定電流源回路であって、半導体集積回路の試験時に発生する試験信号に応答して導通状態が制御されるトランジスタを含む前記定電流源回路とを有することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (5件)：
G05F 1/56 310 ,  G01R 31/28 ,  G11C 11/407 ,  G11C 11/401 ,  G11C 29/00 671
FI (6件)：
G05F 1/56 310 H ,  G11C 29/00 671 F ,  G01R 31/28 B ,  G01R 31/28 V ,  G11C 11/34 354 F ,  G11C 11/34 371 A
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 特開平4-370963
  • 半導体集積回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-000927   出願人：日本電気株式会社
  • 光受信装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-241245   出願人：株式会社東芝
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