特許

J-GLOBAL ID：200903083792060933

半導体評価装置及びその評価方法

発明者： 土屋 憲彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-189205
公開番号（公開出願番号）：特開平9-033460
出願日： 1995年07月25日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】 実際の生産ラインにおいて、半導体ウェーハ表面の不純物を109 atoms/cm2 以下のレベルの検出感度で分析を行うことができ、かつ不純物を識別することができる半導体評価装置及びその評価方法を提供することにある。【解決手段】 半導体ウェーハの評価が行われる測定室と、前記測定室内に設置され、前記半導体ウェーハを固定する保持器と、前記半導体ウェーハ表面に任意の波長のX線束を入射する入射光学手段と、前記X線束の入射角度及び前記半導体ウェーハの位置を調整する調整手段と、前記半導体ウェーハ表面から発生する蛍光X線を検出するX線検出手段を具備している。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの評価が行われる測定室と、前記測定室内に設置され、前記半導体ウェーハを固定する保持器と、前記半導体ウェーハ表面に任意の波長のX線束を入射する入射光学手段と、前記X線束の入射角度及び前記半導体ウェーハの位置を調整する調整手段と、前記半導体ウェーハ表面から発生する蛍光X線を検出するX線検出手段を具備することを特徴とする半導体評価装置。