特許
J-GLOBAL ID:200903083794352559

超電導回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 亀井 弘勝 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-133615
公開番号(公開出願番号):特開平6-350147
出願日: 1993年06月03日
公開日(公表日): 1994年12月22日
要約:
【要約】【構成】 基板3上に、炭素クラスター超電導体薄膜からなる回路1と、この回路1を被覆する絶縁性保護膜2とを形成する。【効果】 回路1が炭素クラスター超電導体薄膜からなるので、回路1の臨界温度Tcを高くすることができ、安定性、信頼性に優れるものとなる。炭素クラスターの構造が立方晶の異方性がないため回路の作成が容易となる。
請求項(抜粋):
基板上に、炭素クラスター超電導体薄膜からなる回路と、この回路を被覆する絶縁性保護膜とが形成されていることを特徴とする超電導回路。
IPC (4件):
H01L 39/06 ZAA ,  C01B 31/02 ZAA ,  C01B 31/02 101 ,  H01L 39/12 ZAA

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