半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-324133
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069233
出願日： 1992年12月03日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】陽極酸化工程を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【構成】絶縁基板上に第1伝導型の第1半導体層を形成し、前記第1半導体層上に高濃度でドープされた第1伝導型の第2半導体層を形成し、前記第2半導体層の所定部分が露出されるよう前記第2半導体層上に酸化阻止パターンを形成する。前記酸化阻止パターン形成後、陽極酸化を施して第2半導体層の露出された部分を酸化させる。ソース/ドレーン電極5a,5bと接触しないオームコンタクト層4′を除去するために従来のプラズマ食刻の代わりに、前記除去しようとするコンタクト層を対象とした陽極酸化工程を施して陽極酸化膜6を形成することにより不必要な部位のコンタクト層を除去する。これにより、食刻工程により発生された問題点を除去することができるので、信頼性の高い薄膜トランジスタが得られる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に第1伝導型の第1半導体層を形成する段階と、前記第1半導体層上に高濃度でドープされた第1伝導型の第2半導体層を形成する段階と、前記第2半導体層の所定部分が露出されるよう前記第2半導体層上に酸化阻止パターン2を形成する段階と、前記酸化阻止パターンの形成後、陽極酸化を施して前記第2半導体層の露出された部分を酸化する段階とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭61-164267
特開昭61-065477
特開昭61-150278

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