特許
J-GLOBAL ID：200903083794995395
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-008733
公開番号（公開出願番号）：特開平6-223584
出願日： 1993年01月22日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】メモリセルのゲート長や基板・浮遊ゲート間絶縁膜厚の製造ばらつきが生じても、所定のメモリセルの書込み時に、他のメモリセルの記憶データの破壊やディプレッション型への移行を防止する。【構成】メモリセルM1〜M3に書込み用の電圧を供給するトランジスタQ1のゲート電位を、一端を制御電圧Vb供給端に接続した抵抗R1と、ドレインを抵抗R1の他端にソースを接地電位点に接続し制御ゲートに基準電圧Vrを受けメモリセルM1〜M3と同種,同一製造工程で形成されて浮遊ゲートを有するMOSトランジスタ(リファレンストランジスタQr)との接続点の電位で制御する。
請求項（抜粋）：
ドレイン電極をビット線にソース電極を基準電位点にそれぞれ接続し制御ゲート電極を対応するワード線にそれぞれ接続した浮遊ゲートを有するMOSトランジスタで形成された複数のメモリセルを含むメモリセルアレイと、ソース電極,ドレイン電極のうちの一方を電源電圧供給点に他方を前記ビット線にそれぞれ接続したエンハンスメント型のトランジスタ、一端を制御電圧供給点に他端を前記トランジスタのゲート電極にそれぞれ接続した抵抗、及びドレイン電極を前記抵抗の他端にソース電極を前記基準電位点にそれぞれ接続し制御ゲート電極に基準電圧を受け前記メモリセルを形成するMOSトランジスタと同種かつ同一製造工程で形成されて浮遊ゲートを有するMOSトランジスタによるリファレンストランジスタを備えた書込み回路とを含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 309 A
, G11C 17/00 309 F
