特許

J-GLOBAL ID：200903083811776384

水素吸蔵材料の製造方法及び水素吸蔵材料

発明者： 梶浦 尚志 ,  村上 洋介 ,  筒井 栄光 ,  角田 三尚
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-021362
公開番号（公開出願番号）：特開2004-230274
出願日： 2003年01月30日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：

【課題】室温での水素吸蔵に適した表面構造を有する炭素系材料からなる水素吸蔵材料を得ることができる水素吸蔵材料の製造方法、及びその製造方法によって得られる水素吸蔵材料を提供すること。【解決手段】筒状の炭素化合物を強酸で処理する酸化処理工程と、前記筒状炭素化合物を加熱する熱処理工程とを有する、水素吸蔵材料の製造方法。細孔を有する筒状の炭素化合物からなり、径1nm以下の前記細孔が容積0.22ml/g以上、0.6ml/g以下の容積を占めている、水素吸蔵材料。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

筒状の炭素化合物を強酸で処理する酸化処理工程と、前記筒状炭素化合物を加熱する熱処理工程とを有する、水素吸蔵材料の製造方法。

IPC (2件)：

B01J20/20 ,  B01J20/30

FI (2件)：

B01J20/20 B ,  B01J20/30

Fターム (28件)：

4G036AB21 ,  4G066AA04B ,  4G066AA13D ,  4G066AA47D ,  4G066AA52D ,  4G066AA53D ,  4G066BA01 ,  4G066BA25 ,  4G066BA26 ,  4G066CA38 ,  4G066DA04 ,  4G066FA12 ,  4G066FA22 ,  4G066FA34 ,  4G066FA36 ,  4G066FA38 ,  4G140AA48 ,  4G146AA11 ,  4G146AC04A ,  4G146AC04B ,  4G146AC05A ,  4G146AC08B ,  4G146AD32 ,  4G146BA04 ,  4G146CB11 ,  4G146CB12 ,  4G146CB37 ,  4G146CB38