特許

J-GLOBAL ID：200903083812424210

半導体露光方法および装置

発明者： 鵜澤 繁行 ,  高田 秀行 ,  鈴木 章義
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 哲也 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-070069
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234839
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 露光直前のウエハ温度と装置内基準温度とを一致させ、ウエハに対する熱的影響による変形のバラつきを防止し、パターン露光精度の向上を図る。【構成】 半導体露光において、露光(ステップ5)のために被露光物を吸着する(ステップ4)前に、強制温調を行う。

請求項（抜粋）：

半導体露光において、被露光物の搬入後露光のために被露光物を吸着する前に、被露光物を強制温調することを特徴とする半導体露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 301 H ,  H01L 21/30 311 L