特許
J-GLOBAL ID：200903083812968430
単結晶薄膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-052376
公開番号（公開出願番号）：特開2000-247798
出願日： 1999年03月01日
公開日（公表日）： 2000年09月12日
要約：
【要約】【課題】 気相成長法を用いたマイクロチャネルエピタキシー技術によって、非晶質膜上に単結晶薄膜を形成する新たな方法を提供する。【解決手段】 単結晶基板1上に非晶質薄膜2を形成する。次いで、エッチングによって非晶質薄膜2に線状の開口部3を形成し、単結晶基板1の表面を露出させる。次いで、減圧下において、分子ビーム6-2を単結晶基板1の表面1Aに対して40°以下の入射角度で開口部3に入射させ、開口部3の前記露出した単結晶基板表面上に単結晶薄膜4を選択的にエピタキシャル成長させる。その後、縦方向単結晶薄膜8を成長させるとともに、非晶質薄膜2上において横方向に成長してなる横方向単結晶薄膜9を形成する。
請求項（抜粋）：
単結晶基板上に非晶質薄膜を形成するとともに、前記非晶質薄膜に開口部を形成して前記単結晶基板表面の一部を露出させ、減圧下において原子ビーム又は分子ビームを前記単結晶基板表面に対して40°以下の入射角度で入射させ、前記露出した単結晶基板表面上に単結晶薄膜を選択的にエピタキシャル成長させることを特徴とする、単結晶薄膜の形成方法。
Fターム (13件)：
4G077AA03
, 4G077AB02
, 4G077AB07
, 4G077BE31
, 4G077BE41
, 4G077DA04
, 4G077ED04
, 4G077EE07
, 4G077EH10
, 4G077FB05
, 4G077FB06
, 4G077HA01
, 4G077HA06
