特許

J-GLOBAL ID：200903083815668802

バイポーラICの構造及び製造方法

発明者： 阿部 一男
出願人/特許権者： ミツミ電機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-285535
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120437
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】本発明は、NPNトランジスタとは別に、ベース及びコレクタが形成されることにより、βの制御が容易に行なわれ、また動作速度等の特性が向上すると共に、コレクタの面積が比較的広く形成され得るようにした、バイポーラICの構造及び製造方法を提供することを目的とする。【構成】p型シリコン基板11の表面に対して、熱拡散等によってn+型埋込層12を形成し、その上から表面全体に亘ってエピタキシャル成長等によりn-型層13を形成して分離し、続いて、該n-型層の表面に、熱拡散により複数個のp+型ベース層14を形成すると共に、該p+型ベース層の間の活性ベース領域にて、選択的にイオン打ち込みを行なうことにより、p型層15及びn型層16を形成し、さらに該n型層の表面に、熱拡散によりn+型コレクタ層17を形成することにより、I2L素子を有するバイポーラIC10を構成する。

請求項（抜粋）：

p型シリコン基板の表面に対して、熱拡散等によってn+型埋込層を形成し、その上から表面全体に亘ってエピタキシャル成長等によりn-型層を形成して分離し、続いて、該n-型層の表面に、熱拡散により複数個のp+型ベース層を形成すると共に、該p+型ベース層の間の活性ベース領域にて、選択的にイオン打ち込みを行なうことにより、p型層及びn型層を形成し、さらに該n型層の表面に、熱拡散によりn+型コレクタ層を形成することにより、I2L素子を構成するようにしたことを特徴とする、I2L素子を有するバイポーラICの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/082 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 27/08 101 W ,  H01L 29/72