特許

J-GLOBAL ID：200903083828218423

半導体量子ドット素子とその製造方法

発明者： 斎藤 英彰
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-077772
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270508
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】 量子ドット近傍での量子井戸構造におけるキャリヤー消費を無くし、効率的に量子ドットヘキャリヤー注入が行うことのできる、量子ドット素子とその製造方法を提供することである。【解決手段】 AlGaAsからなる障壁層2と、AlGaAsよりもバンドギャップが小さく、格子定数の異なるInGaAsの量子ドット4を備え、障壁層2と量子ドット4の間に、AlGaAsよりもバンドギャップが大きく、InGaAsと格子定数の等しいInAlAsからなる、数原子層厚の中間層3を備えて構成される。

請求項（抜粋）：

第1の半導体からなる半導体障壁層と、前記第1の半導体よりもバンドギャップが小さく、格子定数の異なる第2の半導体からなる半導体量子ドット構造を備えた半導体量子ドット素子において、前記半導体障壁層と前記半導体量子ドット構造の間に、前記第1の半導体よりもバンドギャップが大きく、前記第2の半導体と格子定数の等しい第3の半導体からなる、数原子層厚の半導体中間層を備えることを特徴とする半導体量子ドット素子。

IPC (6件)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/66 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (6件)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/66 ,  H01L 33/00 B ,  H01S 3/18