特許

J-GLOBAL ID：200903083833593500

不揮発性半導体メモリ素子及びその製造方法

発明者： 筒 博司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101046
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294662
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 本発明は様々な不揮発性メモリ素子に用いられる不揮発性半導体メモリ素子及びその製造方法に関するものであり、構成が簡単で、歩留まりに優れ、低コストで製造できる不揮発性半導体メモリ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 ゲート電極を酸化することによって、圧縮応力を半導体とゲート絶縁膜界面にかけることにより容易に電荷を注入させる。

請求項（抜粋）：

チャネル領域とドナーまたはアクセプタとなる不純物を含有するソース及びドレイン領域からなる半導体層とゲート絶縁膜とゲート電極とソース及びドレイン電極を少なくとも有するトランジスタを含み、前記トランジスタのゲート絶縁膜中に半導体層またはゲート電極から電荷を注入することによってメモリとして作用する不揮発性半導体メモリ素子であって、前記トランジスタのゲート電極表面には前記ゲート電極材料の酸化物が形成されることによって前記チャネル領域と前記ゲート絶縁膜界面に圧縮応力が加えられていることを特徴とする不揮発性半導体メモリ素子。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Fターム (27件)：

5F001AA16 ,  5F001AB02 ,  5F001AC02 ,  5F001AD12 ,  5F001AD41 ,  5F001AD70 ,  5F001AE02 ,  5F001AE08 ,  5F001AG02 ,  5F001AG12 ,  5F001AG21 ,  5F083EP17 ,  5F083EP22 ,  5F083EP33 ,  5F083ER11 ,  5F083ER21 ,  5F083ER25 ,  5F083ER30 ,  5F083GA27 ,  5F083GA28 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083PR12 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-008554
  
• 特開昭56-134768
  
• 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-204190   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開平2-180079