特許

J-GLOBAL ID：200903083840465266

スパッタ源、スパッタ成膜装置、スパッタ成膜方法、光学多層膜、光学部材及び投影露光装置

発明者： 瀧 優介
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 藤本 芳洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-395619
公開番号（公開出願番号）：特開2003-193231
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：

【要約】【課題】 化学量論組成でフッ素欠損のないフッ化物薄膜をマグネトロンスパッタリング法により得ることである。【解決手段】 このマグネトロンスパッタ成膜装置は、スパッタガスが導入され、この導入されたスパッタガスがプラズマ化される成膜チャンバ10と、前記成膜チャンバ内に配置された基板18と、前記成膜チャンバ内において、前記基板に対向して配置されたスパッタターゲット22を有する陰極と前記スパッタターゲット上方の空間を覆い発生したプラズマを閉じ込めるプラズマシールド24から構成される陽極とを備えるスパッタ源とを有する。

請求項（抜粋）：

スパッタターゲットを有する陰極と、前記スパッタターゲット上方の空間を覆い発生したプラズマを閉じ込めるプラズマシールドから構成される陽極とを備えることを特徴とするスパッタ源。

IPC (7件)：

C23C 14/34 ,  B01J 19/08 ,  G02B 1/10 ,  G02B 1/11 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (7件)：

C23C 14/34 T ,  B01J 19/08 H ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521 ,  G02B 1/10 A ,  G02B 1/10 Z ,  H01L 21/30 515 D

Fターム (35件)：

2H097CA15 ,  2H097LA10 ,  2K009BB02 ,  2K009CC06 ,  2K009DD04 ,  2K009DD09 ,  4G075AA24 ,  4G075AA42 ,  4G075BC02 ,  4G075BC04 ,  4G075BD14 ,  4G075CA25 ,  4G075CA33 ,  4G075CA47 ,  4G075CA65 ,  4G075DA02 ,  4G075EA05 ,  4G075EB01 ,  4G075EB34 ,  4G075EB41 ,  4G075EC21 ,  4G075ED13 ,  4G075FB02 ,  4G075FC11 ,  4G075FC15 ,  4K029BA42 ,  4K029BB02 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC20 ,  4K029DC39 ,  5F046BA03 ,  5F046CB01 ,  5F046CB25