特許
J-GLOBAL ID：200903083841667415
半導体製造装置のクリーニング方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
中島 洋治 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-340167
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188223
出願日： 1992年12月21日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】 プラズマCVD装置のドライクリーニング方法に関し,チャンバ内壁に堆積した成膜を完全に除去することができるようにして,エッチング残りに起因するパーティクルの発生を無くすと共に,装置の稼働率を向上させる。【構成】 半導体装置の製造に用いられるプラズマCVD装置のチャンバ内をクリーニングする際に,チャンバ内真空度を,半導体装置に対する成膜時真空度〔Torr〕×1.2以上に設定したプラズマエッチングにより,チャンバ内をクリーニングする。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造に用いられるプラズマCVD装置のチャンバ内をクリーニングする方法であって,チャンバ内真空度を,前記半導体装置に対する成膜時真空度〔Torr〕×1.2以上に設定したプラズマエッチングにより,前記チャンバ内をクリーニングすることを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/31
