特許

J-GLOBAL ID：200903083847826302

内部降圧電源回路

発明者： 高島 敏 ,  菊川 博仁
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 村山 光威
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-204313
公開番号（公開出願番号）：特開2001-034349
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】 電流供給能力の向上と応答速度の高速化を実現する内部降圧電源回路を提供する。【解決手段】 参照電圧VREFと内部降圧電源電圧VINTの電位差を増幅し、出力電圧VDRVを発生させる差動増幅回路11と、前記出力電圧VDRVに基づき電圧PBBを発生する基板電位制御電圧発生回路13と、ゲート端子及び基板端子を有し、差動増幅回路11及び基板電位制御電圧発生回路13により制御されるMOSFET駆動回路12を備え、差動増幅回路11の出力電圧VDRVによりゲート端子電圧を制御し、基板電位制御電圧発生回路13の発生電圧PBBにより基板端子電圧を制御して、半導体集積回路の一部またはすべての内部回路14が消費する負荷電流の駆動を制御するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

参照電圧と内部降圧電源電圧の電位差を増幅し、出力電圧を発生させる差動増幅回路と、前記出力電圧に基づき電圧を発生する基板電位制御電圧発生回路と、ゲート端子及び基板端子を有し、前記差動増幅回路及び基板電位制御電圧発生回路により制御され、半導体集積回路装置が消費する負荷電流を駆動するMOSFET駆動回路を備え、前記差動増幅回路の出力電圧によりゲート端子電圧を制御し、前記基板電位制御電圧発生回路の発生電圧により基板端子電圧を制御して、前記負荷電流の駆動を制御することを特徴とする内部降圧電源回路。

IPC (2件)：

G05F 1/56 310 ,  G05F 1/56 320

FI (2件)：

G05F 1/56 310 C ,  G05F 1/56 320 C

Fターム (12件)：

5H430BB01 ,  5H430BB05 ,  5H430BB09 ,  5H430BB11 ,  5H430EE06 ,  5H430EE12 ,  5H430FF01 ,  5H430FF13 ,  5H430FF15 ,  5H430FF17 ,  5H430GG08 ,  5H430HH03