特許
J-GLOBAL ID：200903083848287219
シリコン酸化膜の形成方法及びシリコン酸化膜形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-301524
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135492
出願日： 1997年11月04日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】シリコン酸化膜を形成する際のシリコン層の表面に荒れが発生することを防止でき、シリコン層の表面にドライ酸化膜を形成することなく、特性の優れたシリコン酸化膜を形成する方法を提供する。【解決手段】シリコン酸化膜の形成方法は、処理室10、処理室10に設けられた基体搬入出部25、第1及び第2の湿式ガス生成装置30B,30Aを備えたシリコン酸化膜形成装置を用い、(A)基体搬入出部25を経由して処理室10に基体40を搬入するとき、湿式ガスを基体搬入出部25に導入して基体搬入出部25をシリコン層の表面からシリコン原子が脱離しない温度の湿式ガス雰囲気としてシリコン層の表面にシリコン酸化膜を形成し、(B)基体40を処理室10内に搬入した後、湿式ガスを処理室10に導入してシリコン層の表面にシリコン酸化膜を更に形成する工程から成る。
請求項（抜粋）：
(イ)シリコン層の表面にシリコン酸化膜を形成するための処理室、(ロ)シリコン層を有する基体を該処理室に搬入出するために、該処理室に設けられた基体搬入出部、(ハ)該基体搬入出部に接続され、基体搬入出部を湿式ガス雰囲気とするための第1の湿式ガス生成装置、及び、(ニ)該処理室に接続され、処理室内を湿式ガス雰囲気とするための第2の湿式ガス生成装置、を備えていることを特徴とするシリコン酸化膜形成装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 E
, H01L 21/316 S
