パターン形成材料及びパターン形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-250215
公開番号（公開出願番号）：特開2003-162062
出願日： 2002年08月29日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】 180nm帯以下の波長を持つ露光光を用いてレジストパターンを形成する場合に、スカムを殆ど発生させることなく、良好なパターン形状を有するレジストパターンが得られるようにする。【解決手段】 [化1]で表わされるユニットと[化2]で表わされるユニットとを含むベース樹脂と、酸発生剤とを有するパターン形成材料。【化1】【化2】(但し、R<SB>1</SB>及びR<SB>2</SB>は、同種又は異種であって、水素原子、塩素原子、フッ素原子、アルキル基又はフッ素原子を含むアルキル基であり、R<SB>3</SB>は、酸により脱離する保護基であり、mは、0〜5の整数であり、a及びbは、0<a<1、0<b<1及び0<a+b≦1を満たす。)

請求項（抜粋）：

[化1]で表わされる第1のユニットと[化2]で表わされる第2のユニットとを含むベース樹脂と、酸発生剤とを有するパターン形成材料。【化1】【化2】(但し、R<SB>1</SB>及びR<SB>2</SB>は、同種又は異種であって、水素原子、塩素原子、フッ素原子、アルキル基又はフッ素原子を含むアルキル基であり、R<SB>3</SB>は、酸により脱離する保護基であり、mは、0〜5の整数であり、a及びbは、0<a<1、0<b<1及び0<a+b≦1を満たす。)

IPC (10件)：

G03F 7/039 601 , C08F 8/00 , C08F212/14 , C08F228/02 , C08F232/00 , C08K 5/00 , C08L 25/18 , C08L 41/00 , C08L 45/00 , H01L 21/027

FI (10件)：

G03F 7/039 601 , C08F 8/00 , C08F212/14 , C08F228/02 , C08F232/00 , C08K 5/00 , C08L 25/18 , C08L 41/00 , C08L 45/00 , H01L 21/30 502 R

Fターム (54件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB16 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025FA17 , 4J002BC121 , 4J002BK001 , 4J002BQ001 , 4J002EV296 , 4J002FD206 , 4J002GP03 , 4J100AB07Q , 4J100AP01P , 4J100AR11R , 4J100BA02Q , 4J100BA02R , 4J100BA03R , 4J100BA04H , 4J100BA04Q , 4J100BA04R , 4J100BA05H , 4J100BA05Q , 4J100BA05R , 4J100BA06H , 4J100BA06Q , 4J100BA06R , 4J100BA22H , 4J100BA22Q , 4J100BA22R , 4J100BA58P , 4J100BA76H , 4J100BA76Q , 4J100BA76R , 4J100BB07P , 4J100BB11Q , 4J100BB11R , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA31 , 4J100HA19 , 4J100HC09 , 4J100HC77 , 4J100JA38

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