特許
J-GLOBAL ID：200903083858641193
半導体用ヒートシンク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-115569
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321261
出願日： 1994年05月27日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】本発明は、中消費電力用半導体用ヒートシンクの放熱特性の向上を図ること、また、半導体とヒートシンクの熱膨張率を近似させることによる長期信頼性を向上させるほか、安価に市場へ提供することにある。【構成】本発明は、W合金のMIM法により放熱面の複雑、微細な形状を有する半導体用ヒートシンク。【効果】長期信頼性の高い半導体用ヒートシンクを安価に提供できる。
請求項（抜粋）：
金属射出成形(以下MIMという)法によるW合金で、放熱面側に円柱、円筒、角柱もしくは角筒としたことを特徴とする半導体用ヒートシンク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/36 M
, H01L 23/36 Z
