特許

J-GLOBAL ID：200903083859416231

接着型誘電体分離半導体基板

発明者： 丹 沢 勝二郎 ,  古 川 和 由
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063726
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267438
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【構成】 素子用Si基板層105と基台用Si基板層106とが酸化膜104によって絶縁分離され、かつ素子用Si基板層105において複数の素子形成領域105aが、分離溝110、酸化膜111、窒化ケイ素膜112及びSi結晶体113からなるトレンチにより相互に絶縁分離される。更に、窒化ケイ素膜112が常温で引張り応力を発生し、酸化膜104により発生される圧縮応力を打消すように作用する。【効果】 酸化膜104の圧縮応力を打消す引張り応力を常温で発生する窒化ケイ素膜112を素子分離溝110内に設けたことから、基板を厚くすることなく反り低減が可能となる。

請求項（抜粋）：

素子分離溝により複数の素子形成領域に分離されたその各素子形成領域に半導体素子が作り込まれ活性層となる素子用シリコン基板層と、該素子用シリコン基板層に絶縁層を介して接着一体化され該素子用シリコン基板層を保持する基台用シリコン基板層と、前記素子分離溝内に設けられ常温で引張り応力を生ずる引張り応力発生体とを備えている接着型誘電体分離半導体基板。

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭61-005544
  
• 特開平3-142854
  
• 特開平1-106441
  
• 特開平1-302740
  
• 特開昭63-003429