特許
J-GLOBAL ID:200903083860415311
半導体製造・検査装置用セラミックヒータ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安富 康男 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-223006
公開番号(公開出願番号):特開2003-037031
出願日: 2001年07月24日
公開日(公表日): 2003年02月07日
要約:
【要約】【課題】 半導体ウエハ等を迅速に加熱することができ、加熱時における半導体ウエハ等の温度ばらつきが小さい半導体製造・検査装置用セラミックヒータを提供すること。【解決手段】 円板形状のセラミック基板の表面または内部に複数の回路からなる抵抗発熱体が形成された半導体製造・検査装置用セラミックヒータであって、前記抵抗発熱体を構成する少なくとも一の回路は、前記セラミック基板における外縁部近傍に形成されていることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。
請求項(抜粋):
円板形状のセラミック基板の表面または内部に複数の回路からなる抵抗発熱体が形成された半導体製造・検査装置用セラミックヒータであって、前記抵抗発熱体を構成する少なくとも一の回路は、前記セラミック基板における外縁部近傍に形成されていることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミックヒータ。
IPC (7件):
H01L 21/02
, H01L 21/027
, H01L 21/205
, H05B 3/10
, H05B 3/20 328
, H05B 3/20 393
, H05B 3/74
FI (8件):
H01L 21/02 Z
, H01L 21/205
, H05B 3/10 A
, H05B 3/10 C
, H05B 3/20 328
, H05B 3/20 393
, H05B 3/74
, H01L 21/30 567
Fターム (34件):
3K034AA02
, 3K034AA04
, 3K034AA10
, 3K034AA16
, 3K034AA21
, 3K034AA22
, 3K034AA34
, 3K034BA06
, 3K034BB06
, 3K034BB14
, 3K034BC04
, 3K034BC17
, 3K034HA04
, 3K034HA10
, 3K034JA10
, 3K092PP20
, 3K092QA05
, 3K092QB02
, 3K092QB18
, 3K092QB30
, 3K092QB31
, 3K092QB44
, 3K092QB45
, 3K092RF03
, 3K092RF11
, 3K092RF27
, 3K092TT30
, 3K092VV22
, 5F045EG05
, 5F045EK08
, 5F045EK09
, 5F045EK27
, 5F045EM10
, 5F046KA04
前のページに戻る