特許
J-GLOBAL ID：200903083863790008
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-045232
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242584
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体の成長には一般的にサファイア基板が用いられているが、エッチングがほとんど不可能な為、垂直共振器型面発光レーザを作製する場合、反射膜を形成するのが困難である。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体をシリコン基板上に成長する事により、基板をエッチングにより除去する事が可能となり、誘電体多層反射膜を形成する事が可能なる。【効果】 本発明のレーザ素子は結晶成長後に反射膜を形成出来る為、容易に且つ効率良く窒化ガリウム系化合物半導体を用いた垂直共振器型レーザダイオードを形成する事が可能となり、その産業上の利用価値は非常に大きい。
請求項（抜粋）：
IV族元素からなり且つ立方晶系の結晶構造を有する基体上に窒化ガリウム系の化合物半導体からなる半導体領域を形成したことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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