特許
J-GLOBAL ID：200903083868428692
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-190259
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045727
出願日： 1993年07月30日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】 メモリトランジスタの低電圧での駆動能力を低下させることなく不揮発性半導体記憶装置の書換耐性を向上させる。【構成】 シリコン基板1の主表面上にはトンネル絶縁膜7が形成されている。このトンネル絶縁膜7上にはフローティングゲート電極9が形成されている。トンネル領域A内に位置するフローティングゲート電極9とトンネル絶縁膜7との界面近傍には、フローティングゲート電極9を構成する材質の窒化物層が形成されている。
請求項（抜粋）：
主表面を有する第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の主表面に形成された第2導電型の不純物領域と、前記不純物領域上に形成されたトンネル絶縁膜と、前記トンネル絶縁膜上に形成された電荷蓄積電極とを備え、前記不純物領域と前記電荷蓄積電極との間でトンネル現象による電子のやりとりが行なわれるトンネル領域内に位置する前記電荷蓄積電極と前記トンネル絶縁膜との界面に、前記電荷蓄積電極を構成する材料の窒化物層が形成された、不揮発性半導体記憶装置。
IPC (6件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, G11C 16/02
, G11C 16/04
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, G11C 17/00 307 D
, H01L 27/10 434
