特許
J-GLOBAL ID：200903083872469468
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
熊谷 雄太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-136800
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335292
出願日： 1992年05月28日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 ガラス板等に貼りつけられたGaAs基板の裏面に、あらかじめ格子状の溝を形成しその溝を厚膜で埋め込むことにより、クラックの広がり、基板のそりによる浮きを低減する。【構成】 表面工程加工済みの半導体基板1とガラス板2を、表面がガラス板に密着するように貼りつけ、その半導体基板1の裏面にPRで格子状のパターニングを施し、それを目印に基板1を削り格子状の溝1aを形成する。続いてポリイミド3を厚く塗布し溝1aを埋め、基板の研磨、エッチングを行う。続いてバイアホール形成、メタライズ等を行い、その後にポリイミド3を除去し、エッチカット、ガラス板からの分離を行い、チップに分割する。
請求項（抜粋）：
一表面に半導体装置が形成された半導体基板を、この半導体基板を貼り合わせて補強するための補強板に、この半導体基板の表面が密着するように貼り合わせて、この半導体基板の裏面を研磨して薄く加工するに際して、あらかじめこの補強板に貼りつけた半導体基板裏面に少なくとも1本以上の溝を形成した後に、この溝をこの半導体基板を構成する物質とは異なる物質で覆った後、この半導体基板の裏面を研磨することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/78
