半導体装置、及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-324282
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160130
出願日： 1991年12月09日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】半導体装置いおける金属配線のエレクトロマイグレーションによる断線及びショート不良を防止するとともに、後工程の熱処理に対する耐性や完成した半導体装置の耐湿性の向上を図ることを目的とする。【構成】下層層間絶縁膜2上にバリアメタル3,Al配線1,積層膜4を順次形成し、その上にフォトリソグラフィにより導電性金属層11(線幅1μm以下)を形成する。これを反応性イオンエッチングにより異方性エッチングし、その上に導電性金属層11を堆積させこれを反応性イオンエッチングで積層膜4が現れてくるまでエッチングする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に金属で形成された配線と、前記配線とは異なりエレクトロマイグレーションが起き難い金属で前記配線の側面に傾斜角をもって形成されるサイドウォールとを有することを特徴とした半導体装置。

FI (3件)：

H01L 21/88 N , H01L 21/88 R , H01L 21/88 D

前のページに戻る