特許

J-GLOBAL ID：200903083877698562

イオン注入法

発明者： 三村 秋男 ,  永井 正一
出願人/特許権者： 株式会社ジーティシー
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-014721
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221043
出願日： 1994年02月08日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 基板上に形成された半導体薄膜にイオン注入を行い、ついでエネルギービーム照射を行って注入イオンの活性化を行う際に、半導体薄膜のエネルギービーム照射による膜の荒れを防止し、低抵抗の半導体薄膜を得る。【構成】 エネルギービーム照射の際に、基板を100〜600°Cに加熱する。バケット型イオン源を用いれば高速でのイオン注入が可能であり、加熱温度を600°C以下とすればガラス基板が使用可能となる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された半導体薄膜にイオン源からのイオンを加速電圧0.5〜10kVで注入したのち、該基板を加熱しながらエネルギービームの照射を行うことを特徴とするイオン注入法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/265 B ,  H01L 21/265 P ,  H01L 29/78 311 P

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭60-182132