特許
J-GLOBAL ID：200903083880998844
半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-130858
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342957
出願日： 1993年06月01日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：
【要約】【目的】 低雑音で高出力まで横モードの安定な半導体レーザ装置を実現する。【構成】 活性層(Ga1-XAlXAs)4の主面の少なくとも一方の側に、一導電型の第一光ガイド層(Ga1-Y1AlY1As)5と、第二光ガイド層(Ga1-Y2AlY2As)6とを備えた。第二光ガイド層6上には、それと逆の導電型でストライプ状の窓7aを有する第一電流ブロック層(Ga1-Z1AlZ1As)7と、ストライプ状の窓8aを有する第二電流ブロック層(Ga1-Z2AlZ2As)8とを形成した。ストライプ状の窓7a,8aは光ガイド層5,6と同じ導電型のGa1-Y3AlY3As層を備えた。窓8aの幅は窓7aの幅よりも広く、AlAs混晶比の値X,Y1,Y2,Y3,Z1およびZ2の間に、Z2>Y3>Y2>X≧0,Y1>Y2,Z1>Y2の関係とした。
請求項（抜粋）：
活性層となるGa1-XAlXAs層の主面の少なくとも一方の側に、一導電型のGa1-Y1AlY1As第一光ガイド層、Ga1-Y2AlY2As第二光ガイド層を順次備えるとともに、前記第二光ガイド層上に、これとは逆の導電型でストライプ状の窓1を有するGa1-Z1AlZ1As第一電流ブロック層、ストライプ状の窓2を有するGa1-Z2AlZ2As第二電流ブロック層が形成されており、前記ストライプ状の窓1および窓2には、前記光ガイド層と同じ導電型のGa1-Y3AlY3As層を備えてなり、前記窓2の幅は前記窓1の幅よりも広く、AlAs混晶比の値X,Y1,Y2,Y3,Z1およびZ2の間に、Z2>Y3>Y2>X≧0,Y1>Y2,Z1>Y2の関係を成立させたことを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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