特許
J-GLOBAL ID:200903083881514425

半導体レーザー

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 柳田 征史 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-006368
公開番号(公開出願番号):特開平11-204880
出願日: 1998年01月16日
公開日(公表日): 1999年07月30日
要約:
【要約】【課題】 波長450nm以上の青色領域や緑色領域のレーザービームを、効率良く高出力で発生可能な半導体レーザーを得る。【解決手段】 半導体レーザーの活性層を、In1-YGaYNZAs1-Zからなる量子井戸活性層15とする。
請求項(抜粋):
In1-YGaYNZAs1-Zからなる量子井戸活性層を有することを特徴とする半導体レーザー。

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