特許

J-GLOBAL ID：200903083885202231

研磨方法、研磨装置、半導体デバイス製造方法、及び半導体デバイス

発明者： 松川 英二
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 四宮 通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-007092
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217141
出願日： 2001年01月15日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 エロージョンやディッシング等を低減しかつマイクロスクラッチのない研磨面を得るとともに、平坦性をより向上させる。【解決手段】 研磨体とウエハ30との間に研磨剤を介在させた状態で、前記研磨体とウエハ30との間に荷重を加えつつ、前記研磨体とウエハ30とを相対移動させることにより、ウエハ30を研磨する。第1の工程では、前記研磨体として硬質の研磨パッド42を用いるとともに、エアー圧によりウエハ30を研磨パッド42側へ押圧しつつ、ウエハ30を研磨する。第1の工程の後の第2の工程では、前記研磨体として軟質の研磨パッドを用いて、ウエハ30を研磨する。

請求項（抜粋）：

研磨体と研磨対象物との間に研磨剤を介在させた状態で、前記研磨体と前記研磨対象物との間に荷重を加えつつ、前記研磨体と前記研磨対象物とを相対移動させることにより、前記研磨対象物を研磨する研磨方法において、前記研磨体として硬質の研磨パッドを用いるとともに、流体圧により前記研磨対象物の被研磨面を前記研磨体の加工面へ押圧しつつ、前記研磨対象物を研磨する第1の工程と、前記第1の工程の後に、前記研磨体として前記硬質の研磨パッドに比べて軟質の研磨パッドを用いて、前記研磨対象物を研磨する第2の工程と、を備えたことを特徴とする研磨方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/04

FI (7件)：

H01L 21/304 622 F ,  H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/304 621 D ,  B24B 37/00 C ,  B24B 37/04 Z ,  B24B 37/04 K

Fターム (13件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AA12 ,  3C058AC02 ,  3C058BA01 ,  3C058BA02 ,  3C058BA05 ,  3C058BA09 ,  3C058BB04 ,  3C058CB03 ,  3C058CB05 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17