特許
J-GLOBAL ID：200903083894126866
単結晶炭化珪素の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-016240
公開番号（公開出願番号）：特開平8-208394
出願日： 1995年02月02日
公開日（公表日）： 1996年08月13日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、欠陥の少ない良質な単結晶炭化珪素を成長させる方法を提供する。【構成】 種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる際に、雰囲気ガスとしてアルゴン等の不活性ガス中に1ppm〜1%の酸素ガスを含有させたものを用いる。
請求項（抜粋）：
種結晶を用いた昇華再結晶法によって炭化珪素単結晶を成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、成長雰囲気ガスとして不活性ガス中に1ppm〜1%の酸素ガスを含有させたものを用いることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
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