特許
J-GLOBAL ID：200903083894500415
薄膜製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-176197
公開番号（公開出願番号）：特開平11-269652
出願日： 1998年06月23日
公開日（公表日）： 1999年10月05日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 原子層蒸着法による薄膜製造方法。【解決手段】 基板がローディングされたチャンバ1を所定の温度と圧力に保つ段階100と、チャンバ1に第1反応物を注入し、基板上に化学吸着させる段階200と、化学吸着した第1反応物が形成された基板3を含むチャンバに不活性ガスで1次パージして化学吸着した第1反応物上に物理吸着した第1反応物を残す段階300と、化学吸着及び物理吸着した第1反応物11が形成された基板を含むチャンバに第2反応物を注入及び反応させ薄膜を形成する段階400と、薄膜が形成されたチャンバに不活性ガスで2次パージする段階500を含む、薄膜製造方法。
請求項（抜粋）：
基板がローディングされたチャンバを所定の温度と圧力に保つ段階と、前記チャンバに第1反応物を注入し、前記基板上に化学吸着させる段階と、前記化学吸着した第1反応物が形成された基板を含むチャンバに不活性ガスで1次パージして前記化学吸着した第1反応物上に物理吸着した第1反応物を残す段階と、前記化学吸着及び物理吸着した第1反応物が形成された基板を含むチャンバに第2反応物を注入及び反応させ薄膜を形成する段階と、前記薄膜が形成されたチャンバに不活性ガスで2次パージする段階を含むことを特徴とする薄膜製造方法。
IPC (5件)：
C23C 16/44
, C23C 16/40
, C23C 18/08
, H01L 21/203
, H01L 21/31
C23C 16/44 A
, C23C 16/40
, C23C 18/08
, H01L 21/203 M
, H01L 21/31 D
