特許

J-GLOBAL ID：200903083895520959

半導体装置

発明者： 鈴木 良孝 ,  渡辺 哲也 ,  蒲原 敦彦
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-190656
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009301
出願日： 2000年06月26日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】 不純物拡散層の特性が変化することなく安定した動作を確保することができる半導体装置を提供すること。【解決手段】 一方の面に不純物拡散層が形成されると共に不純物拡散層上に保護膜が形成されたシリコン基板と、保護膜を介してシリコン基板に陽極接合されるガラス基板、とを具備する半導体装置において、保護膜は、少なくともシリコン基板側より順次積層されるシリコン酸化膜、第一多結晶シリコン膜及びシリコン窒化膜と、ガラス基板に陽極接合される第二多結晶シリコン膜、とからなることを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

一方の面に不純物拡散層が形成されると共に前記不純物拡散層上に保護膜が形成されたシリコン基板と、前記保護膜を介して前記シリコン基板に陽極接合されるガラス基板、とを具備する半導体装置において、前記保護膜は、少なくとも前記シリコン基板側より順次積層されるシリコン酸化膜、第一多結晶シリコン膜及びシリコン窒化膜と、前記ガラス基板に陽極接合される第二多結晶シリコン膜、とからなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101

FI (2件)：

H01L 29/84 B ,  G01L 9/04 101

Fターム (17件)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF49 ,  2F055GG01 ,  2F055GG12 ,  2F055HH11 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA02 ,  4M112CA14 ,  4M112CA15 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA13